電學樣品桿除核心電學測量功能外，還具備以下功能：
 

　　一、多場耦合實驗能力
 

　　熱電耦合：在高溫環境下對樣品施加電場，同時保持透射電鏡(TEM)的原子級分辨率成像能力。例如，Lightning原位熱電樣品桿可在900℃高溫下施加>300kV/cm電場，用于研究高溫電化學催化反應。
 

　　力電耦合：同步施加納米級力學載荷與電學信號，研究材料的力電協同行為。例如，PicoFemto原位力學-電學樣品桿可實現nN級力學載荷與電學信號的同步施加。
 

　　氣電耦合：在封閉氣體系統中研究氣相反應過程，同時施加電學刺激。例如，Protochips Atmosphere原位氣體樣品桿可在0-1atm氣壓、1-1000℃溫度范圍內研究催化劑與氣體的實時反應。
 

　　光電耦合：通過光纖探針施加光場，結合電學測量研究材料的光電響應。例如，部分電學樣品桿支持光場與電場的同步加載，用于研究光電轉換材料的性能。
 

　　二、動態觀測與高分辨成像能力
 

　　原子級結構演化觀測：在施加電學刺激的同時，動態捕獲材料的晶體結構變化。例如，觀察鋰離子電池電極材料在充放電過程中的相變過程。
 

　　化學組分與元素價態分析：結合能譜儀(EDS)或電子能量損失譜(EELS)，實時分析材料在電學刺激下的化學組分變化。例如，研究催化反應中催化劑表面活性位點的動態演變。
 

　　納米尺度電輸運性能測試：在納米尺度下測量材料的電流-電壓(I-V)特性，揭示納米材料的電輸運機制。例如，測量納米線、二維材料等低維材料的電導率。
 

　　三、高精度與低漂移特性
 

　　亞納米級定位精度：通過壓電陶瓷或微電機系統實現探針在三維空間的精細移動，定位精度可達0.02nm(X/Y方向)和0.0025nm(Z方向)。
 

　　低漂移率設計：采用特殊材料和結構設計，確保樣品桿在長時間實驗中的穩定性。例如，部分樣品桿的漂移率低于0.1nm/min，滿足原子級成像需求。
 

　　高精度控溫：集成PID/Pulse/Manual三種控溫方式，控溫穩定性優于±0.1℃，溫度范圍覆蓋室溫至1300℃。
 

　　四、兼容性與擴展性
 

　　多品牌電鏡適配：支持適配Thermo Fisher、JEOL、Hitachi等品牌TEM，滿足不同實驗室的需求。
 

　　模塊化設計：通過更換不同類型的芯片(如加熱芯片、電學芯片、氣體芯片等)，實現功能的靈活擴展。例如，PicoFemto系列樣品桿提供30余種電學芯片，覆蓋從基礎電導測量到復雜器件測試的需求。
 

　　真空轉移與低溫擴展：部分樣品桿支持真空轉移芯片或低溫芯片的拓展，用于研究材料在**條件下的性能。