透射電鏡是一種把經加速和聚集的電子束透射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的原子碰撞而改變方向，從而產生立體角散射。散射角的大小與樣品的密度、厚度等相關，因此可以形成明暗不同的影像，影像在放大、聚焦后在成像器件(如熒光屏，膠片以及感光耦合組件)上顯示出來的顯微鏡。

　　在光學顯微鏡下無法看清小于0.2微米的細微結構，這些結構稱為亞顯微結構或超細結構。要想看清這些結構，就必須選擇波長更短的光源，以提高顯微鏡的分辨率。1932年Ruska發明了以電子束為光源的透射電子顯微鏡，電子束的波長比可見光和紫外光短得多，并且電子束的波長與發射電子束的電壓平方根成反比，也就是說電壓越高波長越短。目前透射電鏡分辨力可達0.2納米。

　　透射電鏡樣品桿的分類

　　1、氣氛桿：

　　氣氛桿能夠突破現有透射電鏡對于真空度要求的限制，在一個*封閉的氣體系統中，研究透射電鏡內的氣相反應過程，如高分辨下觀察催化劑與氣體的反應情況。并結合控溫模塊，能夠在特定的壓力和溫度下動態的，實時的觀察原子級別的固氣反應。同時，該樣品桿*可以真正在透射電鏡中進行密閉腔室的EDS元素分析。

　　透射電鏡樣品桿的分類及應用

　　可用氣體種類：氫氣、氮氣、氧氣、氬氣、氨氣等多種氣體。

　　氣壓范圍：0-1atm;

　　溫度范圍：1-1000℃;

　　應用領域：原位氣相催化反應、氣相氧化還原反應過程等。

　　2、加熱桿：

　　加熱桿的電熱電子芯片采用*的加熱技術，在絕緣層上添加了額外電極圖案。這種分離電刺激的設計，減少了電流的泄漏和保持了信號的完整性，從而能夠在一個穩定的平臺上同時進行試樣的加熱和電化學表征。

　　電學表征：透射電鏡的電學測試面臨的大挑戰是：表征納米尺度樣品的電學性能時，所需要的電流非常小，通常小于1nA，并且必須被準確的加載和測量以確保結果的準確性。分析測試中心配備的Fusion樣品桿可提供幾pA的測量，靈敏度達到aA。擁有30多種不同的電學芯片可供選擇，樣品支撐區域適合用于每一種應用。

　　電熱性能表征：電熱芯片具有特制的SiC加熱器，使研究者能夠在溫度下進行電學實驗。

　　溫度范圍：0-1200℃(電熱實驗時為900℃);

　　電流范圍：0-100mA;

　　電壓范圍：0-55V;

　　應用研究領域：真空條件下的熱反應過程(如材料相變)以及電學下的氧化還原反應等。

　　3、液體桿：

　　液體桿能在*液體的環境下對試樣進行動態成像和電化學研究，能在高分辨率下研究和觀察液體樣品，可以實時的記錄納米尺度下的動態環境，如生物礦化。研究者可以探索材料的基本物理性能和優化電化學系統，如進行循環伏安和其他電化學實驗。同時配備的加熱模塊，可以使透射電鏡樣品桿直接加熱液體。

　　液體加熱范圍：0-100℃;

　　電流范圍：60pA-600mA;

　　電壓范圍：0-11V;

　　試樣頻率：10µHz–1MHz;

　　應用研究領域：如電池、燃料電池、金屬有機催化和防腐涂層等。